Manganese arsenide (MnAs) is a binary compound composed of manganese and arsenic, characterized by its metallic properties and semiconducting behavior. It typically crystallizes in a hexagonal structure, which contributes to its unique electronic properties. MnAs exhibits ferromagnetic behavior at room temperature, making it of interest in spintronic applications. The compound is known for its high thermal stability and can be synthesized through various methods, including solid-state reactions and chemical vapor deposition. In terms of reactivity, MnAs can react with acids, releasing hydrogen gas, and it is sensitive to moisture, which can lead to oxidation. The material has potential applications in electronics, particularly in the development of magnetic and semiconductor devices. However, it is important to note that both manganese and arsenic are toxic elements, necessitating careful handling and consideration of safety protocols when working with MnAs. Overall, manganese arsenide is a significant material in materials science and condensed matter physics due to its intriguing properties and potential applications.

Manganese arsenide (MnAs)

Manganarsenid (MnAs) ist eine binäre Verbindung, die aus Mangan und Arsen besteht und durch ihre metallischen Eigenschaften und ihr halbleitendes Verhalten gekennzeichnet ist. Es kristallisiert typischerweise in einer hexagonalen Struktur, die zu seinen einzigartigen elektronischen Eigenschaften beiträgt. MnAs zeigt bei Raumtemperatur ferromagnetisches Verhalten, was es für spintronische Anwendungen von Interesse macht. Die Verbindung ist bekannt für ihre hohe thermische Stabilität und kann durch verschiedene Methoden synthetisiert werden, einschließlich Festkörperreaktionen und chemischer Dampfabscheidung. In Bezug auf die Reaktivität kann MnAs mit Säuren reagieren und Wasserstoffgas freisetzen, und es ist empfindlich gegenüber Feuchtigkeit, was zu Oxidation führen kann. Das Material hat potenzielle Anwendungen in der Elektronik, insbesondere bei der Entwicklung von magnetischen und Halbleitergeräten. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass sowohl Mangan als auch Arsen toxische Elemente sind, was eine sorgfältige Handhabung und Berücksichtigung von Sicherheitsprotokollen beim Arbeiten mit MnAs erfordert. Insgesamt ist Manganarsenid ein bedeutendes Material in der Materialwissenschaft und der Festkörperphysik aufgrund seiner faszinierenden Eigenschaften und potenziellen Anwendungen.

12005-95-7: Manganarsenid (MnAs) ist eine binäre Verbindung, die aus Mangan und Arsen besteht und durch ihre metallischen Eigenschaften und ihr halbleitendes Verhalten gekennzeichnet ist. Es kristallisiert typischerweise in einer hexagonalen Struktur, die zu seinen einzigartigen elektronischen Eigenschaften beiträgt. MnAs zeigt bei Raumtemperatur ferromagnetisches Verhalten, was es für spintronische Anwendungen von Interesse macht. Die Verbindung ist bekannt für ihre hohe thermische Stabilität und kann durch verschiedene Methoden synthetisiert werden, einschließlich Festkörperreaktionen und chemischer Dampfabscheidung. In Bezug auf die Reaktivität kann MnAs mit Säuren reagieren und Wasserstoffgas freisetzen, und es ist empfindlich gegenüber Feuchtigkeit, was zu Oxidation führen kann. Das Material hat potenzielle Anwendungen in der Elektronik, insbesondere bei der Entwicklung von magnetischen und Halbleitergeräten. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass sowohl Mangan als auch Arsen toxische Elemente sind, was eine sorgfältige Handhabung und Berücksichtigung von Sicherheitsprotokollen beim Arbeiten mit MnAs erfordert. Insgesamt ist Manganarsenid ein bedeutendes Material in der Materialwissenschaft und der Festkörperphysik aufgrund seiner faszinierenden Eigenschaften und potenziellen Anwendungen.

CAS 12005-95-7

Manganarsenid (MnAs)