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CAS 12024-14-5

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Galliumtellurid (GaTe)

Beschreibung:
Galliumtellurid (GaTe) ist eine binäre Verbindung, die aus Gallium und Tellur besteht und bemerkenswerte Halbleitereigenschaften aufweist. Es kristallisiert typischerweise in einer geschichteten Struktur, die zu seinen anisotropen elektrischen und optischen Eigenschaften beiträgt. GaTe weist eine direkte Bandlücke auf, was es für Anwendungen in der Optoelektronik, wie Fotodetektoren und lichtemittierenden Geräten, geeignet macht. Das Material zeichnet sich auch durch seine hohe thermische Stabilität und seinen relativ niedrigen Schmelzpunkt im Vergleich zu anderen Halbleitern aus. GaTe kann durch verschiedene Methoden synthetisiert werden, einschließlich chemischem Dampfdruck und Festkörperreaktionen. Seine elektrische Leitfähigkeit kann durch Dotierung modifiziert werden, was maßgeschneiderte elektronische Eigenschaften ermöglicht. Darüber hinaus hat GaTe im Bereich der zweidimensionalen Materialien vielversprechende Ansätze gezeigt, mit potenziellen Anwendungen in flexibler Elektronik und fortschrittlichen photonischen Geräten. Der Umgang mit GaTe erfordert jedoch Vorsicht aufgrund der Toxizität von Tellur und der Notwendigkeit geeigneter Sicherheitsmaßnahmen in Laborumgebungen. Insgesamt ist Galliumtellurid ein bedeutendes Material im Bereich der modernen Halbleitertechnologie.
Formel:GaTe
InChl:InChI=1/Ga.Te.H/q+2;-2;/rGaH.Te/h1H;/q+2;-2
InChI Key:InChIKey=OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[Ga]=[Te]
Synonyme:
  • $L^{1}-Tellane
  • $L^{2}-Gallane
  • Gallium monotelluride
  • Gallium monotelluride (GaTe)
  • Gallium telluride (Ga<sub>2</sub>Te<sub>2</sub>)
  • Gallium telluride (GaTe)
  • Gallium(+2) Monohydride Cation
  • Gallium(II) telluride
  • Tellurium(-2) Anion
  • Gallium telluride (Ga2Te2)
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