CAS 12055-23-1
:Hafniumoxid
Beschreibung:
Hafniumoxid, auch bekannt als Hafnia, ist eine chemische Verbindung mit der Formel HfO₂. Es ist ein weißer, kristalliner Feststoff, der eine hohe thermische Stabilität aufweist und in Wasser unlöslich ist. Hafniumoxid hat einen hohen Schmelzpunkt und ist bekannt für seine hervorragenden dielektrischen Eigenschaften, was es in der Elektronikindustrie wertvoll macht, insbesondere in der Herstellung von Kondensatoren und als Gate-Dielektrikum in Transistoren. Die Verbindung zeichnet sich auch durch ihren hohen Brechungsindex aus und wird in optischen Beschichtungen verwendet. Hafniumoxid kann in verschiedenen kristallinen Formen existieren, einschließlich monoklinischer, tetragonaler und kubischer Phasen, wobei die tetragonale Phase bei hohen Temperaturen stabil ist. Darüber hinaus ist Hafnia chemisch beständig und kann rauen Umgebungen standhalten, was sie für Anwendungen in Kernreaktoren und als Schutzbeschichtung geeignet macht. Ihre einzigartigen Eigenschaften machen sie auch zu einem Kandidaten für den Einsatz in fortschrittlichen Materialien und Nanotechnologie. Insgesamt ist Hafniumoxid ein vielseitiges Material mit bedeutenden industriellen und technologischen Anwendungen.
Formel:HfO2
InChl:InChI=1S/Hf.2O
InChI Key:InChIKey=CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[Hf](=O)=O
Synonyme:- Dioxido De Hafnio
- Dioxohafnium
- Dioxyde d'hafnium
- Hafnia
- Hafnia (HfO2)
- Hafnia (HfO<sub>2</sub>)
- Hafnium (IV)�oxide (99.998%-Hf) PURATREM
- Hafnium dioxide
- Hafnium dioxide (HfO2)
- Hafnium dioxide (HfO<sub>2</sub>)
- Hafnium oxide
- Hafnium oxide (HfO2)
- Hafnium oxide (HfO<sub>2</sub>)
- Hafnium(+4) Cation
- Hafniumdioxid
- Hafniumoxideoffwhitepowder
- Hafniumoxidesinteredlumps
- Hafnotrast
- Hf 05
- Hf 05 (oxide)
- Nsc 158931
- Weitere Synonyme anzeigen
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19 Produkte.
Hafnium(IV) oxide, 99.95%, (metals basis excluding Zr), Zr typically <0.5%
CAS:<p>Hafnium(IV) oxide is used in optical coatings and in advanced metal-oxide-semiconductor devices. It is used as a gate insulator in field-effect transistors due to its high dielectric constant. It plays an important role as a possible candidate for resistive-switching memories, as a refractory materi</p>Formel:HfO2Reinheit:0.5%Molekulargewicht:210.49Hafnium(IV) oxide, 99.9% (metals basis excluding Zr), Zr <0.5%
CAS:<p>Hafnium(IV) oxide is an intermediate. Hafnia is used in optical coatings, and as a high- dielectric in DRAM capacitors and in advanced metal-oxide-semiconductor devices. This Thermo Scientific Chemicals brand product was originally part of the Alfa Aesar product portfolio. Some documentation and lab</p>Formel:HfO2Reinheit:0.5%Molekulargewicht:210.49Hafnium(IV) oxide, 99% (metals basis excluding Zr), Zr <1.5%
CAS:<p>Hafnium(IV) oxide is used in optical coatings and in advanced metal-oxide-semiconductor devices. It is used as a gate insulator in field-effect transistors due to its high dielectric constant. It plays an important role as a possible candidate for resistive-switching memories, as a refractory materi</p>Formel:HfO2Reinheit:1.5%Farbe und Form:White, PowderMolekulargewicht:210.49Hafnium(IV) oxide, tech.
CAS:<p>Hafnium(IV) oxide is used in optical coatings and in advanced metal-oxide-semiconductor devices. It is used as a gate insulator in field-effect transistors due to its high dielectric constant. It plays an important role as a possible candidate for resistive-switching memories, as a refractory materi</p>Formel:HfO2Molekulargewicht:210.49Hafnium(IV) oxide, Spectrographic Grade, 99.9% (metals basis excluding Zr), Zr typically <80ppm
CAS:<p>Hafnium(IV) oxide is used in optical coatings and in advanced metal-oxide-semiconductor devices. It is used as a gate insulator in field-effect transistors due to its high dielectric constant. It plays an important role as a possible candidate for resistive-switching memories, as a refractory materi</p>Formel:HfO2Reinheit:99.9%Molekulargewicht:210.49Hafnium(IV) oxide, 99.995%, (metals basis excluding Zr), Zr typically <0.2%
CAS:<p>Hafnium(IV) oxide is used in optical coatings and in advanced metal-oxide-semiconductor devices. It is used as a gate insulator in field-effect transistors due to its high dielectric constant. It plays an important role as a possible candidate for resistive-switching memories, as a refractory materi</p>Formel:HfO2Reinheit:0.2%Molekulargewicht:210.49Hafnium(IV) oxide, 99.99% (metals basis excluding Zr), Zr <100ppm
CAS:<p>Hafnium(IV) oxide is used as Intermediates, Paint additives and coating additives, metal Products. And it is also used in optical coatings, as a refractory material in the insulation of such devices as thermocouples. This Thermo Scientific Chemicals brand product was originally part of the Alfa Aesa</p>Formel:HfO2Reinheit:99.99%Molekulargewicht:210.49Hafnium(IV) oxide, 98%
CAS:<p>Hafnium(IV) oxide, 98%</p>Formel:HfO2Reinheit:98%Farbe und Form:off-white pwdr.Molekulargewicht:210.49Hafnium(IV) oxide (99.995%-Hf, <0.15% Zr) PURATREM
CAS:<p>Hafnium(IV) oxide (99.995%-Hf, <0.15% Zr) PURATREM</p>Formel:HfO2Reinheit:(99.995%-Hf, <0.15% Zr)Farbe und Form:off-white pwdr.Molekulargewicht:210.49Hafnium(IV) oxide
CAS:Hafnium(IV) oxideReinheit:99.99%,-200meshFarbe und Form:Off-White PowderMolekulargewicht:210.49g/molHafnium(IV) oxide nanopowder, 70nm, 99.9%
CAS:Formel:HfO2Reinheit:≥ 99.9%Farbe und Form:White to tan powder or crystalMolekulargewicht:210.49Hafnium oxide, 99+% (contains max. 4.5% Zr)
CAS:Formel:HfO2Reinheit:≥ 99.0% (sum of Hf and Zr oxides after calcination)Farbe und Form:White powderMolekulargewicht:210.49Hafnium oxide, 99+% (contains max. 0.5% Zr)
CAS:Formel:HfO2Reinheit:≥ 99.0%Farbe und Form:White to off-white powder or crystalsMolekulargewicht:210.49Hafnium oxide, 99.9%
CAS:Formel:HfO2Reinheit:≥ 99.9% (excluding Zr)Farbe und Form:White to off-white powderMolekulargewicht:210.49Hafnium oxide, 99.9%
CAS:Formel:HfO2Reinheit:≥ 99.9% (excluding Zr)Farbe und Form:White powderMolekulargewicht:210.49Ref: IN-DA00HFI1
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