Bismuth tin oxide (Bi2Sn2O7) is a compound that exhibits unique properties, making it of interest in various applications, particularly in electronics and materials science. It is a semiconductor with a pyrochlore structure, characterized by its high stability and resistance to radiation, which makes it suitable for use in optoelectronic devices and as a photocatalyst. Bismuth tin oxide is known for its excellent photocatalytic activity under visible light, which is attributed to its bandgap energy and the ability to generate reactive oxygen species. Additionally, it has been explored for its potential use in gas sensing and as a transparent conducting oxide due to its favorable electrical and optical properties. The compound is typically synthesized through solid-state reactions or sol-gel methods, and its performance can be influenced by factors such as particle size and morphology. Overall, bismuth tin oxide is a versatile material with promising applications in advanced technologies.

Bismuth tin oxide

Bismut-Zinn-Oxid (Bi2Sn2O7) ist eine Verbindung, die einzigartige Eigenschaften aufweist, was sie in verschiedenen Anwendungen, insbesondere in der Elektronik und Materialwissenschaft, von Interesse macht. Es ist ein Halbleiter mit einer Pyrochlorstruktur, die durch ihre hohe Stabilität und Strahlenresistenz gekennzeichnet ist, was sie für den Einsatz in optoelektronischen Geräten und als Photokatalysator geeignet macht. Bismut-Zinn-Oxid ist bekannt für seine ausgezeichnete photokatalytische Aktivität unter sichtbarem Licht, die auf seine Bandlückenenergie und die Fähigkeit, reaktive Sauerstoffspezies zu erzeugen, zurückzuführen ist. Darüber hinaus wurde es auf sein potenzielles Einsatzgebiet in der Gassensorik und als transparenter leitfähiger Oxid aufgrund seiner günstigen elektrischen und optischen Eigenschaften untersucht. Die Verbindung wird typischerweise durch Festkörperreaktionen oder Sol-Gel-Methoden synthetisiert, und ihre Leistung kann von Faktoren wie Partikelgröße und Morphologie beeinflusst werden. Insgesamt ist Bismut-Zinn-Oxid ein vielseitiges Material mit vielversprechenden Anwendungen in fortschrittlichen Technologien.

12777-45-6: Bismut-Zinn-Oxid (Bi2Sn2O7) ist eine Verbindung, die einzigartige Eigenschaften aufweist, was sie in verschiedenen Anwendungen, insbesondere in der Elektronik und Materialwissenschaft, von Interesse macht. Es ist ein Halbleiter mit einer Pyrochlorstruktur, die durch ihre hohe Stabilität und Strahlenresistenz gekennzeichnet ist, was sie für den Einsatz in optoelektronischen Geräten und als Photokatalysator geeignet macht. Bismut-Zinn-Oxid ist bekannt für seine ausgezeichnete photokatalytische Aktivität unter sichtbarem Licht, die auf seine Bandlückenenergie und die Fähigkeit, reaktive Sauerstoffspezies zu erzeugen, zurückzuführen ist. Darüber hinaus wurde es auf sein potenzielles Einsatzgebiet in der Gassensorik und als transparenter leitfähiger Oxid aufgrund seiner günstigen elektrischen und optischen Eigenschaften untersucht. Die Verbindung wird typischerweise durch Festkörperreaktionen oder Sol-Gel-Methoden synthetisiert, und ihre Leistung kann von Faktoren wie Partikelgröße und Morphologie beeinflusst werden. Insgesamt ist Bismut-Zinn-Oxid ein vielseitiges Material mit vielversprechenden Anwendungen in fortschrittlichen Technologien.

CAS 12777-45-6

Bismut-Zinn-Oxid

Bismuth tin oxide

Ref: IN-DA000XEM