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CAS 1303-00-0

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Galliumarsenid

Beschreibung:
Galliumarsenid (GaAs) ist ein Verbindungshalbleiter, der für seine einzigartigen elektronischen und optischen Eigenschaften bekannt ist. Er besteht aus Gallium und Arsen in einem Verhältnis von 1:1 und wird hauptsächlich in Hochfrequenz- und optoelektronischen Anwendungen eingesetzt, wie z.B. in der Herstellung von Leuchtdioden (LEDs), Laserdiode und Solarzellen. GaAs hat eine direkte Bandlücke, die es ihm ermöglicht, Licht effizient auszusenden, was es ideal für photonische Geräte macht. Es zeigt eine hohe Elektronenmobilität, die zu seiner Effektivität in Hochgeschwindigkeits-Elektronikgeräten beiträgt. Das Material zeichnet sich auch durch seine relativ hohe thermische Stabilität und Strahlenresistenz aus, was es für Raumfahrtanwendungen geeignet macht. Allerdings ist GaAs teurer in der Produktion im Vergleich zu Silizium, was seine Verwendung in einigen Anwendungen einschränkt. Darüber hinaus erfordert der Umgang mit GaAs Vorsicht aufgrund der Toxizität von Arsen, was angemessene Sicherheitsmaßnahmen in seiner Produktion und Verwendung notwendig macht. Insgesamt spielt Galliumarsenid eine entscheidende Rolle in der modernen Elektronik und Photonik und bietet Vorteile in Bezug auf Leistung und Effizienz.
Formel:AsGa
InChl:InChI=1S/As.Ga
InChI Key:InChIKey=JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[As]#[Ga]
Synonyme:
  • Arsanylidynegallium
  • Arseniure de gallium
  • Arseniuro De Galio
  • Gallium Arsenic(-3) Anion
  • Gallium arsenide (99.9999% Ga) PURATREM 25mm and down polycrystalline pieces
  • Gallium arsenide (GaAs)
  • Gallium arsenide wafer
  • Gallium monoarsenide
  • Gallium monoarsenide (GaAs)
  • Galliumarsenid
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