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CAS 1303-11-3

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Indiumarsenid

Beschreibung:
Indiumarsenid (InAs) ist ein Verbindungshalbleiter mit bemerkenswerten Eigenschaften, die ihn in verschiedenen technologischen Anwendungen, insbesondere in der Elektronik und Optoelektronik, bedeutend machen. Es handelt sich um eine binäre Verbindung, die aus Indium und Arsen besteht und eine Zinkblende-Kristallstruktur aufweist. Indiumarsenid ist bekannt für seine hohe Elektronenmobilität, die schnelle elektronische Geräte ermöglicht, und es hat eine schmale Bandlücke, was es effektiv für Infrarot-Detektions- und Bildgebungsanwendungen macht. Das Material ist auch empfindlich gegenüber Infrarotstrahlung, was es nützlich in Fotodetektoren und Infrarotlasern macht. Darüber hinaus hat InAs eine hohe thermische Stabilität und kann durch verschiedene Methoden synthetisiert werden, einschließlich Molekularstrahlepitaxie und chemischer Dampfabscheidung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass Indiumarsenid aufgrund des Vorhandenseins von Arsen giftig ist, was eine sorgfältige Handhabung und Entsorgung erforderlich macht. Seine einzigartigen Eigenschaften haben zu seiner Verwendung in Hochgeschwindigkeitstransistoren, Infrarotsensoren und als Substrat für andere Halbleitermaterialien geführt.
Formel:AsIn
InChl:InChI=1S/As.In
InChI Key:InChIKey=RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[As]#[In]
Synonyme:
  • Arsanylidyneindium
  • Arsenic(-3) Anion
  • Arseniure d'indium
  • Arseniuro De Indio
  • Indiam arsenide
  • Indium arsenide (InAs)
  • Indium monoarsenide
  • Indium monoarsenide (InAs)
  • Indium(+3) Cation
  • Indiumarsenid
  • Indium arsenide
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