CAS 13597-87-0

Trisilan, 2-silyl-

Beschreibung:

Trisilan, 2-silyl- ist eine chemische Verbindung, die durch ihre siliziumbasierte Struktur gekennzeichnet ist und spezifisch drei Siliziumatome in ihrem Rückgrat enthält. Sie gehört zur Familie der Silane, die aus Silizium und Wasserstoff bestehen. Das Vorhandensein von Silylgruppen zeigt an, dass sie Substituenten hat, die an die Siliziumatome gebunden sind, was ihre Reaktivität und Eigenschaften beeinflussen kann. Trisilane-Verbindungen sind allgemein bekannt für ihre Flüchtigkeit und können in verschiedenen Anwendungen eingesetzt werden, einschließlich als Vorstufen in der Synthese von siliziumbasierten Materialien und in der Halbleiterindustrie. Sie können einzigartige Eigenschaften wie niedrige Viskosität und die Fähigkeit zur Bildung von Siloxanbindungen bei Hydrolyse aufweisen. Darüber hinaus können Trisilane-Verbindungen an typischen Reaktionen der Organosilicium-Chemie teilnehmen, einschließlich Hydrosilylierung und Polymerisation. Sicherheitsüberlegungen sind wichtig, wenn man mit solchen Substanzen umgeht, da sie entzündlich sein können und Gesundheitsrisiken darstellen können, wenn sie eingeatmet oder verschluckt werden. Insgesamt stellt Trisilan, 2-silyl- eine vielseitige Klasse von Verbindungen mit erheblicher industrieller Relevanz dar.

Formel: H₁₀Si₄

InChl: InChI=1/H10Si4/c1-4(2)3/h4H,1-3H3

Synonyme:

• 2-Silyltrisilane
• ISOTETRASILANE
• Trisilane, 2-silyl- (7CI,9CI)

ISOTETRASILANE

CAS: 13597-87-0

Volatile Higher Silane
Volatile higher silanes are low temperature, high deposition rate precursors. By appropriate selection of precursor and deposition conditions, silicon deposition can be shifted from amorphous hydrogenated silicon toward microcrystalline silicon structures. As the number of silicon atoms increases beyond two, electrons are capable of sigma–sigma bond conjugation. The dissociative adsorption of two of the three hydrogen atoms on terminal silicon atoms has a lower energy barrier.
Isotetrasilane; (Trisilyl)silane; 2-Silyltrisilane
PYROPHORICAIR TRANSPORT FORBIDDEN?Hvap: 32.5 kJ/molPrecursor for low temp. epitaxy of doped crystalline siliconEmployed in low temperature CVD of amorphous silicon

Formel: H₁₀Si₄

Reinheit: 98%

Farbe und Form: Colourless Liquid

Molekulargewicht: 122.42

Ref: 3H-SII6463.4