CAS 22398-80-7
:Indiumphosphid
Beschreibung:
Indiumphosphid (InP) ist ein binärer Halbleiter, der aus Indium und Phosphor besteht und für seine direkten Bandlücken-Eigenschaften bekannt ist, was ihn äußerst effektiv für optoelektronische Anwendungen macht, wie z.B. in Leuchtdioden (LEDs), Laserdiode und Hochfrequenzelektronik. Er hat eine Zinkblende-Kristallstruktur und zeigt eine hervorragende Elektronenmobilität, die vorteilhaft für Hochgeschwindigkeits-Elektronikgeräte ist. Indiumphosphid zeichnet sich durch seine hohe Wärmeleitfähigkeit und Strahlenbeständigkeit aus, was ihn für Weltraumanwendungen geeignet macht. Das Material wird typischerweise mit Methoden wie Molekularstrahlepitaxie oder metallorganischer chemischer Dampfabscheidung gezüchtet. InP ist auch bemerkenswert für seine Fähigkeit, effizient im Infrarotspektrum zu arbeiten, was vorteilhaft für Telekommunikation und photonische Geräte ist. Es ist jedoch empfindlich gegenüber Feuchtigkeit und erfordert eine sorgfältige Handhabung und Lagerung, um seine Integrität zu bewahren. Sicherheitsvorkehrungen sollten getroffen werden, wenn mit InP gearbeitet wird, da es giftig sein kann, wenn es verschluckt oder eingeatmet wird, und es sollten geeignete Laborprotokolle befolgt werden, um Expositionsrisiken zu mindern.
Formel:InP
InChl:InChI=1/In.P
InChI Key:InChIKey=GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[In]#P
Synonyme:- Fosfuro De Indio
- Indium Phosphide
- Indium monophosphide
- Indiumphosphid
- Phosphure d'indium
- Indiumphosphidemetalsbasispiecesanddownblack
- Indiumphosphidepolycrystallinelump
- indium,phosphorus
- Indium(III) phosphide
- Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM
- phosphanylidyneindium
- Indiumphsophidewafer
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7 Produkte.
Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis)
CAS:<p>InP is used in high-power and high-frequency electronics because of its superior electron velocity. It also has a direct bandgap, making it useful for optoelectronics devices like laser diodes. It is also used as a substrate for epitaxial indium gallium arsenide based opto-electronic devices. This T</p>Formel:InPReinheit:99.99%Farbe und Form:Grey to black, Crystalline solidMolekulargewicht:145.79Indium(III) phosphide, 99.999% (metals basis)
CAS:<p>The water soluble InP/ZnS core/shell QDs are a safer alternative to CdSe/ZnS QDs for biological applications, by comparing their toxicity in vitro (cell culture) and in vivo. This Thermo Scientific Chemicals brand product was originally part of the Alfa Aesar product portfolio. Some documentation an</p>Formel:InPReinheit:99.999%Molekulargewicht:145.79Indium(III) phosphide (99.999%-In) PURATREM
CAS:<p>Indium(III) phosphide (99.999%-In) PURATREM</p>Formel:InPReinheit:(99.999%-In)Farbe und Form:black xtl.; 1/4'' pieces and downMolekulargewicht:145.79Indium(III) phosphide
CAS:Formel:InPReinheit:≥ 99.995% (trace metals basis)Farbe und Form:Silver, grey to black granules or crystalsMolekulargewicht:145.79Indium(III) phosphide, 99.9999% (metals basis)
CAS:<p>Indium(III) phosphide is used in high-power and high-frequency electronics because of its superior electron velocity. It also has a direct band gap, making it useful for optoelectronics devices like laser diodes. It is also used as a substrate for epitaxial indium gallium arsenide based opto-electronic devices. This Thermo Scientific Chemicals brand product was originally part of the Alfa Aesar product portfolio. Some documentation and label information may refer to the legacy brand. The original Alfa Aesar product / item code or SKU reference has not changed as a part of the brand transition to Thermo Scientific Chemicals.</p>Formel:InPReinheit:99.9999%Molekulargewicht:145.79Ref: IN-DA00BC94
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