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CAS 50926-11-9

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Indium-Zinn-Oxid

Beschreibung:
Indium-Zinn-Oxid (ITO) ist ein transparenter leitfähiger Oxid, der hauptsächlich aus Indiumoxid (In2O3) und Zinnoxid (SnO2) besteht, typischerweise in einem Verhältnis, das eine optimale elektrische Leitfähigkeit und optische Transparenz ermöglicht. Es zeichnet sich durch seine hohe elektrische Leitfähigkeit, niedrige Resistivität und hervorragende optische Transparenz im sichtbaren Spektrum aus, was es zu einem idealen Material für Anwendungen in Touchscreens, Flachbildschirmen und Solarzellen macht. ITO weist einen hohen Grad an Stabilität und Haltbarkeit auf, was zu seiner weit verbreiteten Verwendung in elektronischen Geräten beiträgt. Das Material wird normalerweise als Dünnschicht durch Techniken wie Sputtern oder chemische Dampfabscheidung abgeschieden. Darüber hinaus ist bekannt, dass ITO die Fähigkeit hat, mit verschiedenen Elementen dotiert zu werden, um seine Eigenschaften weiter zu verbessern. Allerdings sind seine Sprödigkeit und die Herausforderungen, die mit seiner Produktion und dem Recycling verbunden sind, bemerkenswerte Nachteile. Insgesamt bleibt Indium-Zinn-Oxid ein kritischer Bestandteil der modernen Elektronik aufgrund seiner einzigartigen Kombination aus elektrischen und optischen Eigenschaften.
Formel:In2O5Sn
InChl:InChI=1/2In.5O.Sn/q2*+3;5*-2;+4
InChI Key:InChIKey=AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[Sn].[In].[O]
Synonyme:
  • D 01-9000
  • F-Ito
  • Hyviz
  • ITO
  • ITO 3Mb
  • Ito-R
  • L 2Cc5
  • Microsolver LIT 41A
  • NanoTek ITO
  • NanoTek Indium Tin Oxide
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