Boron arsenide (BAs) is a binary compound composed of boron and arsenic, notable for its semiconductor properties. It typically crystallizes in a zinc blende structure, which contributes to its electronic characteristics. BAs exhibits a direct bandgap, making it suitable for optoelectronic applications, particularly in the infrared spectrum. The material is characterized by its high thermal stability and resistance to oxidation, which enhances its utility in high-temperature environments. Additionally, boron arsenide has a relatively high thermal conductivity, making it an attractive candidate for heat dissipation applications in electronic devices. Its unique combination of properties allows for potential uses in advanced electronic and photonic devices, including transistors and lasers. However, handling BAs requires caution due to the toxicity of arsenic, necessitating appropriate safety measures in both research and industrial settings. Overall, boron arsenide is a significant material in the field of semiconductor technology, with ongoing research exploring its capabilities and applications.

Boron arsenide (BAs)

Arseniuro de boro (BAs) es un compuesto binario compuesto de boro y arsénico, notable por sus propiedades semiconductoras. Típicamente cristaliza en una estructura de blenda de zinc, lo que contribuye a sus características electrónicas. BAs exhibe un bandgap directo, lo que lo hace adecuado para aplicaciones optoelectrónicas, particularmente en el espectro infrarrojo. El material se caracteriza por su alta estabilidad térmica y resistencia a la oxidación, lo que mejora su utilidad en entornos de alta temperatura. Además, el arseniuro de boro tiene una conductividad térmica relativamente alta, lo que lo convierte en un candidato atractivo para aplicaciones de disipación de calor en dispositivos electrónicos. Su combinación única de propiedades permite usos potenciales en dispositivos electrónicos y fotónicos avanzados, incluidos transistores y láseres. Sin embargo, el manejo de BAs requiere precaución debido a la toxicidad del arsénico, lo que requiere medidas de seguridad adecuadas tanto en entornos de investigación como industriales. En general, el arseniuro de boro es un material significativo en el campo de la tecnología de semiconductores, con investigaciones en curso que exploran sus capacidades y aplicaciones.

12005-69-5: Arseniuro de boro (BAs) es un compuesto binario compuesto de boro y arsénico, notable por sus propiedades semiconductoras. Típicamente cristaliza en una estructura de blenda de zinc, lo que contribuye a sus características electrónicas. BAs exhibe un bandgap directo, lo que lo hace adecuado para aplicaciones optoelectrónicas, particularmente en el espectro infrarrojo. El material se caracteriza por su alta estabilidad térmica y resistencia a la oxidación, lo que mejora su utilidad en entornos de alta temperatura. Además, el arseniuro de boro tiene una conductividad térmica relativamente alta, lo que lo convierte en un candidato atractivo para aplicaciones de disipación de calor en dispositivos electrónicos. Su combinación única de propiedades permite usos potenciales en dispositivos electrónicos y fotónicos avanzados, incluidos transistores y láseres. Sin embargo, el manejo de BAs requiere precaución debido a la toxicidad del arsénico, lo que requiere medidas de seguridad adecuadas tanto en entornos de investigación como industriales. En general, el arseniuro de boro es un material significativo en el campo de la tecnología de semiconductores, con investigaciones en curso que exploran sus capacidades y aplicaciones.

CAS 12005-69-5

Arseniuro de boro (BAs)

Boron arsenide (BAs)

Ref: IN-DA01OR3F