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CAS 12024-14-5

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Telururo de galio (GaTe)

Descripción:
Telururo de galio (GaTe) es un compuesto binario compuesto de galio y telurio, notable por sus propiedades semiconductoras. Típicamente cristaliza en una estructura en capas, lo que contribuye a sus características eléctricas y ópticas anisotrópicas. GaTe exhibe un bandgap directo, lo que lo hace adecuado para aplicaciones en optoelectrónica, como fotodetectores y dispositivos emisores de luz. El material también se caracteriza por su alta estabilidad térmica y su relativamente bajo punto de fusión en comparación con otros semiconductores. GaTe se puede sintetizar a través de varios métodos, incluidos el transporte de vapor químico y reacciones en estado sólido. Su conductividad eléctrica se puede modificar mediante dopaje, lo que permite propiedades electrónicas personalizadas. Además, GaTe ha mostrado promesas en el campo de los materiales bidimensionales, con aplicaciones potenciales en electrónica flexible y dispositivos fotónicos avanzados. Sin embargo, el manejo de GaTe requiere precaución debido a la toxicidad del telurio y la necesidad de medidas de seguridad adecuadas en entornos de laboratorio. En general, el telururo de galio es un material significativo en el ámbito de la tecnología moderna de semiconductores.
Fórmula:GaTe
InChI:InChI=1/Ga.Te.H/q+2;-2;/rGaH.Te/h1H;/q+2;-2
Clave InChI:InChIKey=OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[Ga]=[Te]
Sinónimos:
  • $L^{1}-Tellane
  • $L^{2}-Gallane
  • Gallium monotelluride
  • Gallium monotelluride (GaTe)
  • Gallium telluride (Ga<sub>2</sub>Te<sub>2</sub>)
  • Gallium telluride (GaTe)
  • Gallium(+2) Monohydride Cation
  • Gallium(II) telluride
  • Tellurium(-2) Anion
  • Gallium telluride (Ga2Te2)
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