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CAS 1303-00-0

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Arseniuro de galio

Descripción:
Arseniuro de galio (GaAs) es un semiconductor compuesto conocido por sus propiedades electrónicas y ópticas únicas. Está compuesto de galio y arsénico en una proporción de 1:1 y se utiliza principalmente en aplicaciones de alta frecuencia y optoelectrónicas, como en la producción de diodos emisores de luz (LED), diodos láser y celdas solares. GaAs tiene un bandgap directo, lo que le permite emitir luz de manera eficiente, lo que lo hace ideal para dispositivos fotónicos. Exhibe una alta movilidad de electrones, lo que contribuye a su efectividad en dispositivos electrónicos de alta velocidad. El material también se caracteriza por su relativamente alta estabilidad térmica y resistencia a la radiación, lo que lo hace adecuado para aplicaciones espaciales. Sin embargo, GaAs es más caro de producir en comparación con el silicio, lo que limita su uso en algunas aplicaciones. Además, el manejo de GaAs requiere precaución debido a la toxicidad del arsénico, lo que requiere medidas de seguridad adecuadas en su producción y uso. En general, Arseniuro de galio desempeña un papel crucial en la electrónica y la fotónica modernas, ofreciendo ventajas en rendimiento y eficiencia.
Fórmula:AsGa
InChI:InChI=1S/As.Ga
Clave InChI:InChIKey=JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[As]#[Ga]
Sinónimos:
  • Arsanylidynegallium
  • Arseniure de gallium
  • Arseniuro De Galio
  • Gallium Arsenic(-3) Anion
  • Gallium arsenide (99.9999% Ga) PURATREM 25mm and down polycrystalline pieces
  • Gallium arsenide (GaAs)
  • Gallium arsenide wafer
  • Gallium monoarsenide
  • Gallium monoarsenide (GaAs)
  • Galliumarsenid
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