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CAS 1303-11-3

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Arseniuro de indio

Descripción:
Arseniuro de indio (InAs) es un semiconductor compuesto con características notables que lo hacen significativo en diversas aplicaciones tecnológicas, particularmente en electrónica y optoelectrónica. Es un compuesto binario compuesto de indio y arsénico, que exhibe una estructura cristalina de blenda de zinc. Arseniuro de indio es conocido por su alta movilidad electrónica, lo que permite dispositivos electrónicos rápidos, y tiene un bandgap estrecho, lo que lo hace efectivo para aplicaciones de detección e imagen infrarroja. El material también es sensible a la radiación infrarroja, lo que lo hace útil en fotodetectores y láseres infrarrojos. Además, InAs tiene una alta estabilidad térmica y puede ser sintetizado a través de varios métodos, incluyendo epitaxia por haz molecular y deposición de vapor químico. Sin embargo, es importante señalar que Arseniuro de indio es tóxico debido a la presencia de arsénico, lo que requiere un manejo y disposición cuidadosos. Sus propiedades únicas han llevado a su uso en transistores de alta velocidad, sensores infrarrojos y como sustrato para otros materiales semiconductores.
Fórmula:AsIn
InChI:InChI=1S/As.In
Clave InChI:InChIKey=RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[As]#[In]
Sinónimos:
  • Arsanylidyneindium
  • Arsenic(-3) Anion
  • Arseniure d'indium
  • Arseniuro De Indio
  • Indiam arsenide
  • Indium arsenide (InAs)
  • Indium monoarsenide
  • Indium monoarsenide (InAs)
  • Indium(+3) Cation
  • Indiumarsenid
  • Indium arsenide
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