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CAS 13597-87-0

:

trisilano, 2-silil-

Descripción:
trisilano, 2-silil- es un compuesto químico caracterizado por su estructura a base de silicio, que contiene específicamente tres átomos de silicio en su cadena principal. Es parte de la familia de los silanos, que son compuestos compuestos de silicio e hidrógeno. La presencia de grupos silyl indica que tiene sustituyentes unidos a los átomos de silicio, lo que puede influir en su reactividad y propiedades. Los compuestos de trisilano son generalmente conocidos por su volatilidad y pueden ser utilizados en diversas aplicaciones, incluyendo como precursores en la síntesis de materiales a base de silicio y en la industria de semiconductores. Pueden exhibir propiedades únicas como baja viscosidad y la capacidad de formar enlaces siloxano tras la hidrólisis. Además, los compuestos de trisilano pueden participar en reacciones típicas de la química organosilícica, incluyendo la hidrosililación y la polimerización. Las consideraciones de seguridad son importantes al manejar tales sustancias, ya que pueden ser inflamables y pueden representar riesgos para la salud si se inhalan o ingieren. En general, trisilano, 2-silil- representa una clase versátil de compuestos con una relevancia industrial significativa.
Fórmula:H10Si4
InChI:InChI=1/H10Si4/c1-4(2)3/h4H,1-3H3
Sinónimos:
  • 2-Silyltrisilane
  • ISOTETRASILANE
  • Trisilane, 2-silyl- (7CI,9CI)
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  • ISOTETRASILANE
    Gelest
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    ISOTETRASILANE

    CAS:
    <p>Volatile Higher Silane<br>Volatile higher silanes are low temperature, high deposition rate precursors. By appropriate selection of precursor and deposition conditions, silicon deposition can be shifted from amorphous hydrogenated silicon toward microcrystalline silicon structures. As the number of silicon atoms increases beyond two, electrons are capable of sigma–sigma bond conjugation. The dissociative adsorption of two of the three hydrogen atoms on terminal silicon atoms has a lower energy barrier.<br>Isotetrasilane; (Trisilyl)silane; 2-Silyltrisilane<br>PYROPHORICAIR TRANSPORT FORBIDDEN?Hvap: 32.5 kJ/molPrecursor for low temp. epitaxy of doped crystalline siliconEmployed in low temperature CVD of amorphous silicon<br></p>
    Fórmula:H10Si4
    Pureza:98%
    Forma y color:Colourless Liquid
    Peso molecular:122.42

    Ref: 3H-SII6463.4

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