CAS 15112-89-7
:N,N,N′,N′,N′′,N′′-Hexametilsilanotriamina
Descripción:
N,N,N′,N′,N′′,N′′-Hexametilsilanotriamina, con el número CAS 15112-89-7, es un compuesto organosilícico caracterizado por su estructura única que incluye un átomo de silicio unido a tres átomos de nitrógeno, cada uno de los cuales está a su vez unido a grupos metilo. Este compuesto es típicamente un líquido incoloro a amarillo pálido y es conocido por su alta estabilidad térmica y baja volatilidad. Exhibe propiedades como solubilidad en disolventes orgánicos y potencial reactividad con varios electrófilos debido a la presencia de átomos de nitrógeno. Hexametilsilantriamina se utiliza a menudo en la síntesis de polímeros de silicona y como un ligando en química de coordinación. Su capacidad para formar complejos estables con metales lo hace valioso en catálisis y ciencia de materiales. Además, puede tener aplicaciones en el campo de la nanotecnología y como precursor en la producción de materiales a base de silicio. Se deben observar precauciones de seguridad al manipular este compuesto, ya que puede representar riesgos para la salud si se inhala o ingiere.
Fórmula:C6H19N3Si
InChI:InChI=1S/C6H19N3Si/c1-7(2)10(8(3)4)9(5)6/h10H,1-6H3
Clave InChI:InChIKey=TWVSWDVJBJKDAA-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[SiH](N(C)C)(N(C)C)N(C)C
Sinónimos:- Brn 1901643
- Ls 1460
- N,N,N',N',N'',N''-Hexamethylsilanetriamine
- Silanetriamine, N,N,N',N',N'',N''-hexamethyl-
- Tri(dimethylamino)silane
- Tris(Dimethylamino)Silyl
- [Bis(dimethylamino)silyl]dimethylamine
- Tris(dimethylamino)silane
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Tris(dimethylamino)silane, 99+%, 3DMAS (99.999%-Si) PURATREM
CAS:<p>Tris(dimethylamino)silane, 99+%, 3DMAS (99.999%-Si) PURATREM</p>Fórmula:(CH3)2NSiHPureza:(99.999%-Si)Forma y color:colorless to light yellow liq.Peso molecular:161.32Silanetriamine, N,N,N',N',N'',N''-hexamethyl-
CAS:Fórmula:C6H19N3SiPureza:95%Forma y color:LiquidPeso molecular:161.3207Tris(dimethylamino)silane
CAS:Tris(dimethylamino)silanePureza:99%, 99.999%-SiPeso molecular:161.32g/molTRIS(DIMETHYLAMINO)SILANE
CAS:<p>ALD Material<br>Atomic layer deposition (ALD) is a chemically self-limiting deposition technique that is based on the sequential use of a gaseous chemical process. A thin film (as fine as -0.1 Å per cycle) results from repeating the deposition sequence as many times as needed to reach a certain thickness. The major characteristic of the films is the resulting conformality and the controlled deposition manner. Precursor selection is key in ALD processes, namely finding molecules which will have enough reactivity to produce the desired films yet are stable enough to be handled and safely delivered to the reaction chamber.<br>Tris(dimethylamino)silane; Tris(dimethylamido)silylhydride; N,N,N',N',N'',N''-Hexamethylsilanetriamine<br>AIR TRANSPORT FORBIDDENVapor pressure, 4 °C: 1 6 mmHydrosilylates olefins in presence of Rh2Cl2(CO)4Reacts with ammonia to form silicon nitride prepolymersEmployed in low pressure CVD of silicon nitride<br></p>Fórmula:C6H19N3SiPureza:97%Forma y color:Straw LiquidPeso molecular:161.32Tris(dimethylamino)silane, 99+%, 3DMAS (99.999%-Si) PURATREM, 14-8750, contained in 50 ml Swagelok® cylinder (96-1070) for CVD/ALD
CAS:<p>Tris(dimethylamino)silane, 99+%, 3DMAS (99.999%-Si) PURATREM, 14-8750, contained in 50 ml Swagelok® cylinder (96-1070) for CVD/ALD</p>Fórmula:(CH3)2NSiHPureza:(99.999%-Si)Forma y color:colorless to light yellow liq.Peso molecular:161.32




