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CAS 22398-80-7

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Fosfuro de indio

Descripción:
Fosfuro de indio (InP) es un semiconductor binario compuesto de indio y fósforo, conocido por sus propiedades de banda prohibida directa, lo que lo hace altamente efectivo para aplicaciones optoelectrónicas, como en diodos emisores de luz (LED), diodos láser y electrónica de alta frecuencia. Tiene una estructura cristalina de blenda de zinc y exhibe una excelente movilidad electrónica, lo que es ventajoso para dispositivos electrónicos de alta velocidad. Fosfuro de indio se caracteriza por su alta conductividad térmica y resistencia a la radiación, lo que lo hace adecuado para aplicaciones espaciales. El material se cultiva típicamente utilizando métodos como la epitaxia por haz molecular o la deposición química de vapor organometálico. InP también es notable por su capacidad para operar de manera eficiente en el espectro infrarrojo, lo que es beneficioso para las telecomunicaciones y dispositivos fotónicos. Sin embargo, es sensible a la humedad y requiere un manejo y almacenamiento cuidadosos para mantener su integridad. Se deben tomar precauciones de seguridad al trabajar con InP, ya que puede ser tóxico si se ingiere o inhala, y se deben seguir los protocolos de laboratorio adecuados para mitigar los riesgos de exposición.
Fórmula:InP
InChI:InChI=1/In.P
Clave InChI:InChIKey=GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[In]#P
Sinónimos:
  • Fosfuro De Indio
  • Indium Phosphide
  • Indium monophosphide
  • Indiumphosphid
  • Phosphure d'indium
  • Indiumphosphidemetalsbasispiecesanddownblack
  • Indiumphosphidepolycrystallinelump
  • indium,phosphorus
  • Indium(III) phosphide
  • Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM
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