Boron arsenide (BAs) is a binary compound composed of boron and arsenic, notable for its semiconductor properties. It typically crystallizes in a zinc blende structure, which contributes to its electronic characteristics. BAs exhibits a direct bandgap, making it suitable for optoelectronic applications, particularly in the infrared spectrum. The material is characterized by its high thermal stability and resistance to oxidation, which enhances its utility in high-temperature environments. Additionally, boron arsenide has a relatively high thermal conductivity, making it an attractive candidate for heat dissipation applications in electronic devices. Its unique combination of properties allows for potential uses in advanced electronic and photonic devices, including transistors and lasers. However, handling BAs requires caution due to the toxicity of arsenic, necessitating appropriate safety measures in both research and industrial settings. Overall, boron arsenide is a significant material in the field of semiconductor technology, with ongoing research exploring its capabilities and applications.

Boron arsenide (BAs)

Arséniure de bore (BAs) est un composé binaire composé de bore et d'arsenic, remarquable pour ses propriétés semi-conductrices. Il cristallise généralement dans une structure de blende de zinc, ce qui contribue à ses caractéristiques électroniques. BAs présente un gap direct, ce qui le rend adapté aux applications optoélectroniques, en particulier dans le spectre infrarouge. Le matériau se caractérise par sa haute stabilité thermique et sa résistance à l'oxydation, ce qui améliore son utilité dans des environnements à haute température. De plus, l'arséniure de bore a une conductivité thermique relativement élevée, ce qui en fait un candidat attrayant pour des applications de dissipation de chaleur dans les dispositifs électroniques. Sa combinaison unique de propriétés permet des utilisations potentielles dans des dispositifs électroniques et photoniques avancés, y compris des transistors et des lasers. Cependant, la manipulation de BAs nécessite de la prudence en raison de la toxicité de l'arsenic, nécessitant des mesures de sécurité appropriées tant dans les environnements de recherche qu'industriels. Dans l'ensemble, l'arséniure de bore est un matériau significatif dans le domaine de la technologie des semi-conducteurs, avec des recherches en cours explorant ses capacités et ses applications.

12005-69-5: Arséniure de bore (BAs) est un composé binaire composé de bore et d'arsenic, remarquable pour ses propriétés semi-conductrices. Il cristallise généralement dans une structure de blende de zinc, ce qui contribue à ses caractéristiques électroniques. BAs présente un gap direct, ce qui le rend adapté aux applications optoélectroniques, en particulier dans le spectre infrarouge. Le matériau se caractérise par sa haute stabilité thermique et sa résistance à l'oxydation, ce qui améliore son utilité dans des environnements à haute température. De plus, l'arséniure de bore a une conductivité thermique relativement élevée, ce qui en fait un candidat attrayant pour des applications de dissipation de chaleur dans les dispositifs électroniques. Sa combinaison unique de propriétés permet des utilisations potentielles dans des dispositifs électroniques et photoniques avancés, y compris des transistors et des lasers. Cependant, la manipulation de BAs nécessite de la prudence en raison de la toxicité de l'arsenic, nécessitant des mesures de sécurité appropriées tant dans les environnements de recherche qu'industriels. Dans l'ensemble, l'arséniure de bore est un matériau significatif dans le domaine de la technologie des semi-conducteurs, avec des recherches en cours explorant ses capacités et ses applications.

CAS 12005-69-5

Arséniure de bore (BAs)

Boron arsenide (BAs)

Ref: IN-DA01OR3F