Manganese arsenide (MnAs) is a binary compound composed of manganese and arsenic, characterized by its metallic properties and semiconducting behavior. It typically crystallizes in a hexagonal structure, which contributes to its unique electronic properties. MnAs exhibits ferromagnetic behavior at room temperature, making it of interest in spintronic applications. The compound is known for its high thermal stability and can be synthesized through various methods, including solid-state reactions and chemical vapor deposition. In terms of reactivity, MnAs can react with acids, releasing hydrogen gas, and it is sensitive to moisture, which can lead to oxidation. The material has potential applications in electronics, particularly in the development of magnetic and semiconductor devices. However, it is important to note that both manganese and arsenic are toxic elements, necessitating careful handling and consideration of safety protocols when working with MnAs. Overall, manganese arsenide is a significant material in materials science and condensed matter physics due to its intriguing properties and potential applications.

Manganese arsenide (MnAs)

Arséniure de manganèse (MnAs) est un composé binaire composé de manganèse et d'arsenic, caractérisé par ses propriétés métalliques et son comportement semi-conducteur. Il cristallise généralement dans une structure hexagonale, ce qui contribue à ses propriétés électroniques uniques. MnAs présente un comportement ferromagnétique à température ambiante, ce qui le rend intéressant pour des applications en spintronique. Le composé est connu pour sa haute stabilité thermique et peut être synthétisé par divers méthodes, y compris des réactions à l'état solide et la déposition de vapeur chimique. En termes de réactivité, MnAs peut réagir avec des acides, libérant du gaz hydrogène, et il est sensible à l'humidité, ce qui peut entraîner une oxydation. Le matériau a des applications potentielles en électronique, en particulier dans le développement de dispositifs magnétiques et semi-conducteurs. Cependant, il est important de noter que le manganèse et l'arsenic sont tous deux des éléments toxiques, nécessitant une manipulation prudente et une considération des protocoles de sécurité lors de la manipulation de MnAs. Dans l'ensemble, l'arséniure de manganèse est un matériau significatif en science des matériaux et en physique de la matière condensée en raison de ses propriétés intrigantes et de ses applications potentielles.

12005-95-7: Arséniure de manganèse (MnAs) est un composé binaire composé de manganèse et d'arsenic, caractérisé par ses propriétés métalliques et son comportement semi-conducteur. Il cristallise généralement dans une structure hexagonale, ce qui contribue à ses propriétés électroniques uniques. MnAs présente un comportement ferromagnétique à température ambiante, ce qui le rend intéressant pour des applications en spintronique. Le composé est connu pour sa haute stabilité thermique et peut être synthétisé par divers méthodes, y compris des réactions à l'état solide et la déposition de vapeur chimique. En termes de réactivité, MnAs peut réagir avec des acides, libérant du gaz hydrogène, et il est sensible à l'humidité, ce qui peut entraîner une oxydation. Le matériau a des applications potentielles en électronique, en particulier dans le développement de dispositifs magnétiques et semi-conducteurs. Cependant, il est important de noter que le manganèse et l'arsenic sont tous deux des éléments toxiques, nécessitant une manipulation prudente et une considération des protocoles de sécurité lors de la manipulation de MnAs. Dans l'ensemble, l'arséniure de manganèse est un matériau significatif en science des matériaux et en physique de la matière condensée en raison de ses propriétés intrigantes et de ses applications potentielles.

CAS 12005-95-7

Arséniure de manganèse (MnAs)