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Tellurure de gallium (GaTe)

CAS 12024-14-5: Tellurure de gallium (GaTe)

Description :Tellurure de gallium (GaTe) est un composé binaire composé de gallium et de tellure, remarquable pour ses propriétés semi-conductrices. Il cristallise généralement dans une structure en couches, ce qui contribue à ses caractéristiques électriques et optiques anisotropes. GaTe présente un gap direct, ce qui le rend adapté aux applications en optoélectronique, telles que les photodétecteurs et les dispositifs émetteurs de lumière. Le matériau est également caractérisé par sa haute stabilité thermique et son point de fusion relativement bas par rapport à d'autres semi-conducteurs. GaTe peut être synthétisé par divers méthodes, y compris le transport de vapeur chimique et les réactions à l'état solide. Sa conductivité électrique peut être modifiée par dopage, permettant des propriétés électroniques sur mesure. De plus, GaTe a montré des promesses dans le domaine des matériaux bidimensionnels, avec des applications potentielles dans l'électronique flexible et les dispositifs photoniques avancés. Cependant, la manipulation de GaTe nécessite de la prudence en raison de la toxicité du tellure et de la nécessité de mesures de sécurité appropriées dans les environnements de laboratoire. Dans l'ensemble, le tellurure de gallium est un matériau significatif dans le domaine de la technologie moderne des semi-conducteurs.

Formule :GaTe

InChI :InChI=1/Ga.Te.H/q+2;-2;/rGaH.Te/h1H;/q+2;-2

Code InChI :InChIKey=OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N

SMILES :[Ga]=[Te]

  • Synonymes :
  • $L^{1}-Tellane
  • $L^{2}-Gallane
  • Gallium monotelluride
  • Gallium monotelluride (GaTe)
  • Gallium telluride (Ga<sub>2</sub>Te<sub>2</sub>)
  • Gallium telluride (GaTe)
  • Gallium(+2) Monohydride Cation
  • Gallium(II) telluride
  • Tellurium(-2) Anion
  • Gallium telluride (Ga2Te2)
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Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis)

CAS :12024-14-5

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