Bismuth tin oxide (Bi2Sn2O7) is a compound that exhibits unique properties, making it of interest in various applications, particularly in electronics and materials science. It is a semiconductor with a pyrochlore structure, characterized by its high stability and resistance to radiation, which makes it suitable for use in optoelectronic devices and as a photocatalyst. Bismuth tin oxide is known for its excellent photocatalytic activity under visible light, which is attributed to its bandgap energy and the ability to generate reactive oxygen species. Additionally, it has been explored for its potential use in gas sensing and as a transparent conducting oxide due to its favorable electrical and optical properties. The compound is typically synthesized through solid-state reactions or sol-gel methods, and its performance can be influenced by factors such as particle size and morphology. Overall, bismuth tin oxide is a versatile material with promising applications in advanced technologies.

Bismuth tin oxide

Oxyde de bismuth et d'étain (Bi2Sn2O7) est un composé qui présente des propriétés uniques, ce qui le rend intéressant dans diverses applications, notamment en électronique et en science des matériaux. C'est un semi-conducteur avec une structure de pyrochlore, caractérisé par sa haute stabilité et sa résistance aux radiations, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des dispositifs optoélectroniques et comme photocatalyseur. Oxyde de bismuth et d'étain est connu pour son excellente activité photocatalytique sous lumière visible, qui est attribuée à son énergie de bande interdite et à sa capacité à générer des espèces réactives de l'oxygène. De plus, il a été exploré pour son utilisation potentielle dans la détection de gaz et comme oxyde conducteur transparent en raison de ses propriétés électriques et optiques favorables. Le composé est généralement synthétisé par des réactions à l'état solide ou des méthodes sol-gel, et ses performances peuvent être influencées par des facteurs tels que la taille des particules et la morphologie. Dans l'ensemble, Oxyde de bismuth et d'étain est un matériau polyvalent avec des applications prometteuses dans les technologies avancées.

12777-45-6: Oxyde de bismuth et d'étain (Bi2Sn2O7) est un composé qui présente des propriétés uniques, ce qui le rend intéressant dans diverses applications, notamment en électronique et en science des matériaux. C'est un semi-conducteur avec une structure de pyrochlore, caractérisé par sa haute stabilité et sa résistance aux radiations, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des dispositifs optoélectroniques et comme photocatalyseur. Oxyde de bismuth et d'étain est connu pour son excellente activité photocatalytique sous lumière visible, qui est attribuée à son énergie de bande interdite et à sa capacité à générer des espèces réactives de l'oxygène. De plus, il a été exploré pour son utilisation potentielle dans la détection de gaz et comme oxyde conducteur transparent en raison de ses propriétés électriques et optiques favorables. Le composé est généralement synthétisé par des réactions à l'état solide ou des méthodes sol-gel, et ses performances peuvent être influencées par des facteurs tels que la taille des particules et la morphologie. Dans l'ensemble, Oxyde de bismuth et d'étain est un matériau polyvalent avec des applications prometteuses dans les technologies avancées.

CAS 12777-45-6

Oxyde de bismuth et d'étain

Bismuth tin oxide

Ref: IN-DA000XEM