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CAS 1303-00-0

:

Arséniure de gallium

Description :
Arséniure de gallium (GaAs) est un semi-conducteur composé connu pour ses propriétés électroniques et optiques uniques. Il est composé de gallium et d'arsenic dans un rapport de 1:1 et est principalement utilisé dans des applications à haute fréquence et optoélectroniques, telles que la production de diodes électroluminescentes (LED), de diodes laser et de cellules solaires. Le GaAs a une bande interdite directe, ce qui lui permet d'émettre de la lumière de manière efficace, ce qui le rend idéal pour les dispositifs photoniques. Il présente une haute mobilité des électrons, ce qui contribue à son efficacité dans les dispositifs électroniques à grande vitesse. Le matériau est également caractérisé par sa stabilité thermique relativement élevée et sa résistance aux radiations, ce qui le rend adapté aux applications spatiales. Cependant, le GaAs est plus coûteux à produire par rapport au silicium, ce qui limite son utilisation dans certaines applications. De plus, la manipulation du GaAs nécessite des précautions en raison de la toxicité de l'arsenic, nécessitant des mesures de sécurité appropriées dans sa production et son utilisation. Dans l'ensemble, Arséniure de gallium joue un rôle crucial dans l'électronique et la photonique modernes, offrant des avantages en termes de performance et d'efficacité.
Formule :AsGa
InChI :InChI=1S/As.Ga
Code InChI :InChIKey=JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N
SMILES :[As]#[Ga]
Synonymes :
  • Arsanylidynegallium
  • Arseniure de gallium
  • Arseniuro De Galio
  • Gallium Arsenic(-3) Anion
  • Gallium arsenide (99.9999% Ga) PURATREM 25mm and down polycrystalline pieces
  • Gallium arsenide (GaAs)
  • Gallium arsenide wafer
  • Gallium monoarsenide
  • Gallium monoarsenide (GaAs)
  • Galliumarsenid
  • Voir plus de synonymes
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