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CAS 1303-11-3

:

Arséniure d'indium

Description :
Arséniure d'indium (InAs) est un semi-conducteur composé avec des caractéristiques notables qui le rendent significatif dans diverses applications technologiques, en particulier dans l'électronique et l'optoélectronique. C'est un composé binaire composé d'indium et d'arsenic, présentant une structure cristalline de blende de zinc. Arséniure d'indium est connu pour sa haute mobilité électronique, ce qui permet des dispositifs électroniques rapides, et il a un gap énergétique étroit, ce qui le rend efficace pour les applications de détection et d'imagerie infrarouge. Le matériau est également sensible à la radiation infrarouge, ce qui le rend utile dans les photodétecteurs et les lasers infrarouges. De plus, InAs a une haute stabilité thermique et peut être synthétisé par divers méthodes, y compris l'épitaxie par faisceau moléculaire et la déposition de vapeur chimique. Cependant, il est important de noter que Arséniure d'indium est toxique en raison de la présence d'arsenic, nécessitant une manipulation et un élimination prudentes. Ses propriétés uniques ont conduit à son utilisation dans des transistors à haute vitesse, des capteurs infrarouges et comme substrat pour d'autres matériaux semi-conducteurs.
Formule :AsIn
InChI :InChI=1S/As.In
Code InChI :InChIKey=RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N
SMILES :[As]#[In]
Synonymes :
  • Arsanylidyneindium
  • Arsenic(-3) Anion
  • Arseniure d'indium
  • Arseniuro De Indio
  • Indiam arsenide
  • Indium arsenide (InAs)
  • Indium monoarsenide
  • Indium monoarsenide (InAs)
  • Indium(+3) Cation
  • Indiumarsenid
  • Indium arsenide
Trier par
Degré de pureté (%)
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5 produits concernés.