Boron arsenide (BAs) is a binary compound composed of boron and arsenic, notable for its semiconductor properties. It typically crystallizes in a zinc blende structure, which contributes to its electronic characteristics. BAs exhibits a direct bandgap, making it suitable for optoelectronic applications, particularly in the infrared spectrum. The material is characterized by its high thermal stability and resistance to oxidation, which enhances its utility in high-temperature environments. Additionally, boron arsenide has a relatively high thermal conductivity, making it an attractive candidate for heat dissipation applications in electronic devices. Its unique combination of properties allows for potential uses in advanced electronic and photonic devices, including transistors and lasers. However, handling BAs requires caution due to the toxicity of arsenic, necessitating appropriate safety measures in both research and industrial settings. Overall, boron arsenide is a significant material in the field of semiconductor technology, with ongoing research exploring its capabilities and applications.

Boron arsenide (BAs)

Arsenico di boro (BAs) è un composto binario composto da boro e arsenico, noto per le sue proprietà semiconduttrici. Tipicamente cristallizza in una struttura di blenda di zinco, che contribuisce alle sue caratteristiche elettroniche. BAs presenta un bandgap diretto, rendendolo adatto per applicazioni optoelettroniche, in particolare nello spettro infrarosso. Il materiale è caratterizzato da un'elevata stabilità termica e resistenza all'ossidazione, il che ne migliora l'utilità in ambienti ad alta temperatura. Inoltre, l'arseniuro di boro ha una conduttività termica relativamente alta, rendendolo un candidato attraente per applicazioni di dissipazione del calore in dispositivi elettronici. La sua combinazione unica di proprietà consente potenziali utilizzi in dispositivi elettronici e fotonici avanzati, inclusi transistor e laser. Tuttavia, la manipolazione di BAs richiede cautela a causa della tossicità dell'arsenico, richiedendo misure di sicurezza appropriate sia in ambienti di ricerca che industriali. In generale, l'arseniuro di boro è un materiale significativo nel campo della tecnologia dei semiconduttori, con ricerche in corso che esplorano le sue capacità e applicazioni.

12005-69-5: Arsenico di boro (BAs) è un composto binario composto da boro e arsenico, noto per le sue proprietà semiconduttrici. Tipicamente cristallizza in una struttura di blenda di zinco, che contribuisce alle sue caratteristiche elettroniche. BAs presenta un bandgap diretto, rendendolo adatto per applicazioni optoelettroniche, in particolare nello spettro infrarosso. Il materiale è caratterizzato da un'elevata stabilità termica e resistenza all'ossidazione, il che ne migliora l'utilità in ambienti ad alta temperatura. Inoltre, l'arseniuro di boro ha una conduttività termica relativamente alta, rendendolo un candidato attraente per applicazioni di dissipazione del calore in dispositivi elettronici. La sua combinazione unica di proprietà consente potenziali utilizzi in dispositivi elettronici e fotonici avanzati, inclusi transistor e laser. Tuttavia, la manipolazione di BAs richiede cautela a causa della tossicità dell'arsenico, richiedendo misure di sicurezza appropriate sia in ambienti di ricerca che industriali. In generale, l'arseniuro di boro è un materiale significativo nel campo della tecnologia dei semiconduttori, con ricerche in corso che esplorano le sue capacità e applicazioni.

CAS 12005-69-5

Arsenico di boro (BAs)

Boron arsenide (BAs)

Ref: IN-DA01OR3F