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CAS 12024-14-5

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Tellururo di gallio (GaTe)

Descrizione:
Tellururo di gallio (GaTe) è un composto binario composto da gallio e tellurio, noto per le sue proprietà semiconduttrici. Tipicamente cristallizza in una struttura a strati, il che contribuisce alle sue caratteristiche elettriche e ottiche anisotrope. GaTe presenta un bandgap diretto, rendendolo adatto per applicazioni in optoelettronica, come fotodetettori e dispositivi a emissione di luce. Il materiale è anche caratterizzato dalla sua alta stabilità termica e dal punto di fusione relativamente basso rispetto ad altri semiconduttori. GaTe può essere sintetizzato attraverso vari metodi, tra cui il trasporto di vapore chimico e reazioni allo stato solido. La sua conduttività elettrica può essere modificata tramite drogaggio, consentendo proprietà elettroniche su misura. Inoltre, GaTe ha mostrato promesse nel campo dei materiali bidimensionali, con potenziali applicazioni in elettronica flessibile e dispositivi fotonici avanzati. Tuttavia, la manipolazione di GaTe richiede cautela a causa della tossicità del tellurio e della necessità di misure di sicurezza appropriate in ambienti di laboratorio. In generale, il tellururo di gallio è un materiale significativo nel campo della tecnologia moderna dei semiconduttori.
Formula:GaTe
InChI:InChI=1/Ga.Te.H/q+2;-2;/rGaH.Te/h1H;/q+2;-2
InChI key:InChIKey=OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[Ga]=[Te]
Sinonimi:
  • $L^{1}-Tellane
  • $L^{2}-Gallane
  • Gallium monotelluride
  • Gallium monotelluride (GaTe)
  • Gallium telluride (Ga<sub>2</sub>Te<sub>2</sub>)
  • Gallium telluride (GaTe)
  • Gallium(+2) Monohydride Cation
  • Gallium(II) telluride
  • Tellurium(-2) Anion
  • Gallium telluride (Ga2Te2)
Ordinare per
Purezza (%)
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