Hafnium selenide (HfSe2) is a transition metal dichalcogenide that exhibits unique properties, making it of interest in various fields, including materials science and electronics. It typically crystallizes in a layered structure, allowing for easy exfoliation into thin films, which is advantageous for applications in nanoelectronics and optoelectronics. HfSe2 is characterized by its semiconducting behavior, with a bandgap that can vary depending on the number of layers, making it suitable for use in field-effect transistors and photodetectors. The compound is also noted for its high thermal stability and mechanical strength, which contribute to its potential in high-performance devices. Additionally, HfSe2 has shown promise in photocatalytic applications due to its ability to absorb light effectively. Its chemical stability in various environments further enhances its applicability in advanced materials research. Overall, hafnium selenide represents a significant material in the exploration of two-dimensional systems and their integration into next-generation electronic devices.

Hafnium selenide (HfSe2)

Seleniuro di afnio (HfSe2) è un disolfuro di metallo di transizione che presenta proprietà uniche, rendendolo di interesse in vari campi, tra cui la scienza dei materiali e l'elettronica. Si cristallizza tipicamente in una struttura a strati, consentendo una facile esfoliazione in film sottili, il che è vantaggioso per applicazioni in nanoelettronica e optoelettronica. HfSe2 è caratterizzato dal suo comportamento semiconduttore, con un gap di energia che può variare a seconda del numero di strati, rendendolo adatto per l'uso in transistor a effetto di campo e fotodetettori. Il composto è anche noto per la sua alta stabilità termica e resistenza meccanica, che contribuiscono al suo potenziale in dispositivi ad alte prestazioni. Inoltre, HfSe2 ha mostrato promesse in applicazioni fotocatalitiche grazie alla sua capacità di assorbire luce in modo efficace. La sua stabilità chimica in vari ambienti migliora ulteriormente la sua applicabilità nella ricerca di materiali avanzati. In generale, il selenuro di hafnio rappresenta un materiale significativo nell'esplorazione di sistemi bidimensionali e nella loro integrazione in dispositivi elettronici di nuova generazione.

12162-21-9: Seleniuro di afnio (HfSe2) è un disolfuro di metallo di transizione che presenta proprietà uniche, rendendolo di interesse in vari campi, tra cui la scienza dei materiali e l'elettronica. Si cristallizza tipicamente in una struttura a strati, consentendo una facile esfoliazione in film sottili, il che è vantaggioso per applicazioni in nanoelettronica e optoelettronica. HfSe2 è caratterizzato dal suo comportamento semiconduttore, con un gap di energia che può variare a seconda del numero di strati, rendendolo adatto per l'uso in transistor a effetto di campo e fotodetettori. Il composto è anche noto per la sua alta stabilità termica e resistenza meccanica, che contribuiscono al suo potenziale in dispositivi ad alte prestazioni. Inoltre, HfSe2 ha mostrato promesse in applicazioni fotocatalitiche grazie alla sua capacità di assorbire luce in modo efficace. La sua stabilità chimica in vari ambienti migliora ulteriormente la sua applicabilità nella ricerca di materiali avanzati. In generale, il selenuro di hafnio rappresenta un materiale significativo nell'esplorazione di sistemi bidimensionali e nella loro integrazione in dispositivi elettronici di nuova generazione.

CAS 12162-21-9

Seleniuro di afnio (HfSe2)

Hafnium selenide (HfSe2)

Ref: IN-DA0015FH