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CAS 1303-00-0

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Arseniuro di gallio

Descrizione:
Arseniuro di gallio (GaAs) è un semiconduttore composto noto per le sue uniche proprietà elettroniche e ottiche. È composto da gallio e arsenico in un rapporto di 1:1 ed è utilizzato principalmente in applicazioni ad alta frequenza e optoelettroniche, come nella produzione di diodi a emissione di luce (LED), diodi laser e celle solari. Il GaAs ha un gap diretto, che gli consente di emettere luce in modo efficiente, rendendolo ideale per dispositivi fotonici. Mostra un'alta mobilità degli elettroni, il che contribuisce alla sua efficacia nei dispositivi elettronici ad alta velocità. Il materiale è anche caratterizzato dalla sua relativamente alta stabilità termica e resistenza alle radiazioni, rendendolo adatto per applicazioni spaziali. Tuttavia, il GaAs è più costoso da produrre rispetto al silicio, il che limita il suo utilizzo in alcune applicazioni. Inoltre, la manipolazione del GaAs richiede cautela a causa della tossicità dell'arsenico, richiedendo misure di sicurezza appropriate nella sua produzione e utilizzo. In generale, Arseniuro di gallio gioca un ruolo cruciale nell'elettronica e nella fotonica moderne, offrendo vantaggi in termini di prestazioni ed efficienza.
Formula:AsGa
InChI:InChI=1S/As.Ga
InChI key:InChIKey=JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[As]#[Ga]
Sinonimi:
  • Arsanylidynegallium
  • Arseniure de gallium
  • Arseniuro De Galio
  • Gallium Arsenic(-3) Anion
  • Gallium arsenide (99.9999% Ga) PURATREM 25mm and down polycrystalline pieces
  • Gallium arsenide (GaAs)
  • Gallium arsenide wafer
  • Gallium monoarsenide
  • Gallium monoarsenide (GaAs)
  • Galliumarsenid
  • Vedi altri sinonimi
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