CAS 22398-80-7
:Fosfuro di indio
Descrizione:
Fosfuro di indio (InP) è un semiconduttore binario composto da indio e fosforo, noto per le sue proprietà di banda proibita diretta, che lo rendono altamente efficace per applicazioni optoelettroniche, come nei diodi a emissione di luce (LED), diodi laser e elettronica ad alta frequenza. Ha una struttura cristallina a blenda di zinco e presenta un'eccellente mobilità elettronica, vantaggiosa per dispositivi elettronici ad alta velocità. Fosfuro di indio è caratterizzato dalla sua alta conduttività termica e resistenza alle radiazioni, rendendolo adatto per applicazioni spaziali. Il materiale viene tipicamente coltivato utilizzando metodi come l'epitassia a fascio molecolare o la deposizione chimica di vapore organometallico. L'InP è anche notevole per la sua capacità di operare in modo efficiente nello spettro infrarosso, il che è vantaggioso per le telecomunicazioni e i dispositivi fotonici. Tuttavia, è sensibile all'umidità e richiede una manipolazione e una conservazione attente per mantenere la sua integrità. Devono essere adottate precauzioni di sicurezza quando si lavora con l'InP, poiché può essere tossico se ingerito o inalato, e devono essere seguiti i protocolli di laboratorio appropriati per mitigare i rischi di esposizione.
Formula:InP
InChI:InChI=1/In.P
InChI key:InChIKey=GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[In]#P
Sinonimi:- Fosfuro De Indio
- Indium Phosphide
- Indium monophosphide
- Indiumphosphid
- Phosphure d'indium
- Indiumphosphidemetalsbasispiecesanddownblack
- Indiumphosphidepolycrystallinelump
- indium,phosphorus
- Indium(III) phosphide
- Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM
- phosphanylidyneindium
- Indiumphsophidewafer
- Vedi altri sinonimi
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Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis)
CAS:<p>InP is used in high-power and high-frequency electronics because of its superior electron velocity. It also has a direct bandgap, making it useful for optoelectronics devices like laser diodes. It is also used as a substrate for epitaxial indium gallium arsenide based opto-electronic devices. This T</p>Formula:InPPurezza:99.99%Colore e forma:Grey to black, Crystalline solidPeso molecolare:145.79Indium(III) phosphide, 99.999% (metals basis)
CAS:<p>The water soluble InP/ZnS core/shell QDs are a safer alternative to CdSe/ZnS QDs for biological applications, by comparing their toxicity in vitro (cell culture) and in vivo. This Thermo Scientific Chemicals brand product was originally part of the Alfa Aesar product portfolio. Some documentation an</p>Formula:InPPurezza:99.999%Peso molecolare:145.79Indium(III) phosphide (99.999%-In) PURATREM
CAS:<p>Indium(III) phosphide (99.999%-In) PURATREM</p>Formula:InPPurezza:(99.999%-In)Colore e forma:black xtl.; 1/4'' pieces and downPeso molecolare:145.79Indium(III) phosphide
CAS:Formula:InPPurezza:≥ 99.995% (trace metals basis)Colore e forma:Silver, grey to black granules or crystalsPeso molecolare:145.79Indium(III) phosphide, 99.9999% (metals basis)
CAS:<p>Indium(III) phosphide is used in high-power and high-frequency electronics because of its superior electron velocity. It also has a direct band gap, making it useful for optoelectronics devices like laser diodes. It is also used as a substrate for epitaxial indium gallium arsenide based opto-electronic devices. This Thermo Scientific Chemicals brand product was originally part of the Alfa Aesar product portfolio. Some documentation and label information may refer to the legacy brand. The original Alfa Aesar product / item code or SKU reference has not changed as a part of the brand transition to Thermo Scientific Chemicals.</p>Formula:InPPurezza:99.9999%Peso molecolare:145.79Ref: IN-DA00BC94
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