Boron arsenide (BAs) is a binary compound composed of boron and arsenic, notable for its semiconductor properties. It typically crystallizes in a zinc blende structure, which contributes to its electronic characteristics. BAs exhibits a direct bandgap, making it suitable for optoelectronic applications, particularly in the infrared spectrum. The material is characterized by its high thermal stability and resistance to oxidation, which enhances its utility in high-temperature environments. Additionally, boron arsenide has a relatively high thermal conductivity, making it an attractive candidate for heat dissipation applications in electronic devices. Its unique combination of properties allows for potential uses in advanced electronic and photonic devices, including transistors and lasers. However, handling BAs requires caution due to the toxicity of arsenic, necessitating appropriate safety measures in both research and industrial settings. Overall, boron arsenide is a significant material in the field of semiconductor technology, with ongoing research exploring its capabilities and applications.

Boron arsenide (BAs)

Borarsenid (BAs) ist eine binäre Verbindung, die aus Bor und Arsen besteht und für ihre Halbleitereigenschaften bekannt ist. Es kristallisiert typischerweise in einer Zinkblende-Struktur, die zu seinen elektronischen Eigenschaften beiträgt. BAs weist eine direkte Bandlücke auf, was es für optoelektronische Anwendungen, insbesondere im Infrarotspektrum, geeignet macht. Das Material zeichnet sich durch seine hohe thermische Stabilität und Oxidationsbeständigkeit aus, was seine Nützlichkeit in Hochtemperaturumgebungen erhöht. Darüber hinaus hat Borarsenid eine relativ hohe Wärmeleitfähigkeit, was es zu einem attraktiven Kandidaten für Anwendungen zur Wärmeableitung in elektronischen Geräten macht. Seine einzigartige Kombination von Eigenschaften ermöglicht potenzielle Anwendungen in fortschrittlichen elektronischen und photonischen Geräten, einschließlich Transistoren und Lasern. Der Umgang mit BAs erfordert jedoch Vorsicht aufgrund der Toxizität von Arsen, was angemessene Sicherheitsmaßnahmen sowohl in Forschungs- als auch in Industrieumgebungen erforderlich macht. Insgesamt ist Borarsenid ein bedeutendes Material im Bereich der Halbleitertechnologie, mit laufenden Forschungen, die seine Fähigkeiten und Anwendungen erkunden.

12005-69-5: Borarsenid (BAs) ist eine binäre Verbindung, die aus Bor und Arsen besteht und für ihre Halbleitereigenschaften bekannt ist. Es kristallisiert typischerweise in einer Zinkblende-Struktur, die zu seinen elektronischen Eigenschaften beiträgt. BAs weist eine direkte Bandlücke auf, was es für optoelektronische Anwendungen, insbesondere im Infrarotspektrum, geeignet macht. Das Material zeichnet sich durch seine hohe thermische Stabilität und Oxidationsbeständigkeit aus, was seine Nützlichkeit in Hochtemperaturumgebungen erhöht. Darüber hinaus hat Borarsenid eine relativ hohe Wärmeleitfähigkeit, was es zu einem attraktiven Kandidaten für Anwendungen zur Wärmeableitung in elektronischen Geräten macht. Seine einzigartige Kombination von Eigenschaften ermöglicht potenzielle Anwendungen in fortschrittlichen elektronischen und photonischen Geräten, einschließlich Transistoren und Lasern. Der Umgang mit BAs erfordert jedoch Vorsicht aufgrund der Toxizität von Arsen, was angemessene Sicherheitsmaßnahmen sowohl in Forschungs- als auch in Industrieumgebungen erforderlich macht. Insgesamt ist Borarsenid ein bedeutendes Material im Bereich der Halbleitertechnologie, mit laufenden Forschungen, die seine Fähigkeiten und Anwendungen erkunden.

CAS 12005-69-5

Borarsenid (BAs)

Boron arsenide (BAs)

Ref: IN-DA01OR3F