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TETRAKIS(DIMETHYLAMINO)SILANE
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TETRAKIS(DIMETHYLAMINO)SILANE

CAS: 1624-01-7

Rif. 3H-SIT7276.0

25gFuori produzione

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Informazioni sul prodotto

Nome:
TETRAKIS(DIMETHYLAMINO)SILANE
Sinonimi:
  • 4DMAS
  • N,N,N',N',N'',N'',N''',N'''-octamethylsilanetetramine
  • NSC 130238
  • Octamethylsilanetetramine
  • Silanetetramine, N,N,N′,N′,N′′,N′′,N′′′,N′′′-octamethyl-
  • Silanetetramine, octamethyl-
  • Tetra(dimethylamino)silane
  • Tetrakis(dimethylamido)silicon
  • Tetrakis(dimethylamino)silicon
Descrizione:

ALD Material
Atomic layer deposition (ALD) is a chemically self-limiting deposition technique that is based on the sequential use of a gaseous chemical process. A thin film (as fine as -0.1 Å per cycle) results from repeating the deposition sequence as many times as needed to reach a certain thickness. The major characteristic of the films is the resulting conformality and the controlled deposition manner. Precursor selection is key in ALD processes, namely finding molecules which will have enough reactivity to produce the desired films yet are stable enough to be handled and safely delivered to the reaction chamber.
Tetrakis(dimethylamino)silane; Tetrakis(dimethylamido)silane; Octamethylsilanetetramine; N,N,N',N',N'',N'',N''',N'''-Octamethylsilanetetramine
Undergoes transamination reactionsReacts with chromophores to form NLO active hybrid organic-inorganics

Avviso:
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Marchio:
Gelest
Conservazione lunga:
Note:

Proprietà chimiche

Peso molecolare:
204.39
Formula:
C8H24N4Si
Purezza:
97%
Colore/Forma:
Straw Liquid
MDL:
Punto di fusione:
Punto di ebollizione:
Punto di infiammabilità:
Densità:
Concentrazione:
EINECS:
Merck:
Codice SA:

Informazioni sui pericoli

Numero ONU:
EQ:
Classe:
Indicazioni di pericolo:
Consigli di prudenza:
Vietato trasportare in aereo:
Informazioni sui pericoli:
Gruppo di imballaggio:
LQ:

Richiesta di informazioni sul prodotto fuori produzione: 3H-SIT7276.0 TETRAKIS(DIMETHYLAMINO)SILANE

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