Boron arsenide (BAs) is a binary compound composed of boron and arsenic, notable for its semiconductor properties. It typically crystallizes in a zinc blende structure, which contributes to its electronic characteristics. BAs exhibits a direct bandgap, making it suitable for optoelectronic applications, particularly in the infrared spectrum. The material is characterized by its high thermal stability and resistance to oxidation, which enhances its utility in high-temperature environments. Additionally, boron arsenide has a relatively high thermal conductivity, making it an attractive candidate for heat dissipation applications in electronic devices. Its unique combination of properties allows for potential uses in advanced electronic and photonic devices, including transistors and lasers. However, handling BAs requires caution due to the toxicity of arsenic, necessitating appropriate safety measures in both research and industrial settings. Overall, boron arsenide is a significant material in the field of semiconductor technology, with ongoing research exploring its capabilities and applications.

Boron arsenide (BAs)

Arseniato de boro (BAs) é um composto binário composto de boro e arsênio, notável por suas propriedades semicondutoras. Normalmente cristaliza em uma estrutura de blenda de zinco, o que contribui para suas características eletrônicas. BAs exibe uma banda direta, tornando-o adequado para aplicações optoeletrônicas, particularmente no espectro infravermelho. O material é caracterizado por sua alta estabilidade térmica e resistência à oxidação, o que aumenta sua utilidade em ambientes de alta temperatura. Além disso, o arseneto de boro tem uma condutividade térmica relativamente alta, tornando-o um candidato atraente para aplicações de dissipação de calor em dispositivos eletrônicos. Sua combinação única de propriedades permite usos potenciais em dispositivos eletrônicos e fotônicos avançados, incluindo transistores e lasers. No entanto, o manuseio de BAs requer cautela devido à toxicidade do arsênio, exigindo medidas de segurança apropriadas tanto em ambientes de pesquisa quanto industriais. No geral, o arseneto de boro é um material significativo no campo da tecnologia de semicondutores, com pesquisas em andamento explorando suas capacidades e aplicações.

12005-69-5: Arseniato de boro (BAs) é um composto binário composto de boro e arsênio, notável por suas propriedades semicondutoras. Normalmente cristaliza em uma estrutura de blenda de zinco, o que contribui para suas características eletrônicas. BAs exibe uma banda direta, tornando-o adequado para aplicações optoeletrônicas, particularmente no espectro infravermelho. O material é caracterizado por sua alta estabilidade térmica e resistência à oxidação, o que aumenta sua utilidade em ambientes de alta temperatura. Além disso, o arseneto de boro tem uma condutividade térmica relativamente alta, tornando-o um candidato atraente para aplicações de dissipação de calor em dispositivos eletrônicos. Sua combinação única de propriedades permite usos potenciais em dispositivos eletrônicos e fotônicos avançados, incluindo transistores e lasers. No entanto, o manuseio de BAs requer cautela devido à toxicidade do arsênio, exigindo medidas de segurança apropriadas tanto em ambientes de pesquisa quanto industriais. No geral, o arseneto de boro é um material significativo no campo da tecnologia de semicondutores, com pesquisas em andamento explorando suas capacidades e aplicações.

CAS 12005-69-5

Arseniato de boro (BAs)

Boron arsenide (BAs)

Ref: IN-DA01OR3F