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CAS 12024-14-5

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Telureto de gálio (GaTe)

Descrição:
Telureto de gálio (GaTe) é um composto binário composto de gálio e telúrio, notável por suas propriedades semicondutoras. Normalmente cristaliza em uma estrutura em camadas, o que contribui para suas características elétricas e ópticas anisotrópicas. GaTe exibe uma banda direta, tornando-o adequado para aplicações em optoeletrônica, como fotodetectores e dispositivos emissores de luz. O material também é caracterizado por sua alta estabilidade térmica e ponto de fusão relativamente baixo em comparação com outros semicondutores. GaTe pode ser sintetizado por vários métodos, incluindo transporte de vapor químico e reações em estado sólido. Sua condutividade elétrica pode ser modificada por meio de dopagem, permitindo propriedades eletrônicas personalizadas. Além disso, GaTe mostrou promessas no campo de materiais bidimensionais, com aplicações potenciais em eletrônica flexível e dispositivos fotônicos avançados. No entanto, o manuseio de GaTe requer cautela devido à toxicidade do telúrio e à necessidade de medidas de segurança adequadas em ambientes de laboratório. No geral, o telureto de gálio é um material significativo no campo da tecnologia moderna de semicondutores.
Fórmula:GaTe
InChI:InChI=1/Ga.Te.H/q+2;-2;/rGaH.Te/h1H;/q+2;-2
Chave InChI:InChIKey=OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[Ga]=[Te]
Sinónimos:
  • $L^{1}-Tellane
  • $L^{2}-Gallane
  • Gallium monotelluride
  • Gallium monotelluride (GaTe)
  • Gallium telluride (Ga<sub>2</sub>Te<sub>2</sub>)
  • Gallium telluride (GaTe)
  • Gallium(+2) Monohydride Cation
  • Gallium(II) telluride
  • Tellurium(-2) Anion
  • Gallium telluride (Ga2Te2)
Ordenar por
Pureza (%)
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5 produtos.