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CAS 1303-00-0

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Arseniato de gálio

Descrição:
Arseniato de gálio (GaAs) é um semicondutor composto conhecido por suas propriedades eletrônicas e ópticas únicas. É composto de gálio e arsênio em uma proporção de 1:1 e é utilizado principalmente em aplicações de alta frequência e optoeletrônicas, como na produção de diodos emissores de luz (LEDs), diodos a laser e células solares. O GaAs possui uma banda proibida direta, o que permite que ele emita luz de forma eficiente, tornando-o ideal para dispositivos fotônicos. Apresenta alta mobilidade eletrônica, o que contribui para sua eficácia em dispositivos eletrônicos de alta velocidade. O material também é caracterizado por sua relativamente alta estabilidade térmica e resistência à radiação, tornando-o adequado para aplicações espaciais. No entanto, o GaAs é mais caro de produzir em comparação com o silício, o que limita seu uso em algumas aplicações. Além disso, o manuseio do GaAs requer cautela devido à toxicidade do arsênio, exigindo medidas de segurança adequadas em sua produção e uso. No geral, Arseniato de gálio desempenha um papel crucial na eletrônica e fotônica modernas, oferecendo vantagens em desempenho e eficiência.
Fórmula:AsGa
InChI:InChI=1S/As.Ga
Chave InChI:InChIKey=JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[As]#[Ga]
Sinónimos:
  • Arsanylidynegallium
  • Arseniure de gallium
  • Arseniuro De Galio
  • Gallium Arsenic(-3) Anion
  • Gallium arsenide (99.9999% Ga) PURATREM 25mm and down polycrystalline pieces
  • Gallium arsenide (GaAs)
  • Gallium arsenide wafer
  • Gallium monoarsenide
  • Gallium monoarsenide (GaAs)
  • Galliumarsenid
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