CAS 15112-89-7
:N,N,N′,N′,N′′,N′′-Hexametilsilanotriamina
Descrição:
N,N,N′,N′,N′′,N′′-Hexametilsilanotriamina, com o número CAS 15112-89-7, é um composto organossilícico caracterizado por sua estrutura única que inclui um átomo de silício ligado a três átomos de nitrogênio, cada um dos quais está ainda ligado a grupos metila. Este composto é tipicamente um líquido incolor a amarelo pálido e é conhecido por sua alta estabilidade térmica e baixa volatilidade. Apresenta propriedades como solubilidade em solventes orgânicos e potencial reatividade com vários eletrófilos devido à presença de átomos de nitrogênio. Hexametilsilantriamina é frequentemente utilizada na síntese de polímeros de silicone e como um ligante em química de coordenação. Sua capacidade de formar complexos estáveis com metais torna-o valioso em catálise e ciência dos materiais. Além disso, pode ter aplicações no campo da nanotecnologia e como precursor na produção de materiais à base de silício. Precauções de segurança devem ser observadas ao manusear este composto, pois pode representar riscos à saúde se inalado ou ingerido.
Fórmula:C6H19N3Si
InChI:InChI=1S/C6H19N3Si/c1-7(2)10(8(3)4)9(5)6/h10H,1-6H3
Chave InChI:InChIKey=TWVSWDVJBJKDAA-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[SiH](N(C)C)(N(C)C)N(C)C
Sinónimos:- Brn 1901643
- Ls 1460
- N,N,N',N',N'',N''-Hexamethylsilanetriamine
- Silanetriamine, N,N,N',N',N'',N''-hexamethyl-
- Tri(dimethylamino)silane
- Tris(Dimethylamino)Silyl
- [Bis(dimethylamino)silyl]dimethylamine
- Tris(dimethylamino)silane
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Tris(dimethylamino)silane, 99+%, 3DMAS (99.999%-Si) PURATREM
CAS:<p>Tris(dimethylamino)silane, 99+%, 3DMAS (99.999%-Si) PURATREM</p>Fórmula:(CH3)2NSiHPureza:(99.999%-Si)Cor e Forma:colorless to light yellow liq.Peso molecular:161.32Silanetriamine, N,N,N',N',N'',N''-hexamethyl-
CAS:Fórmula:C6H19N3SiPureza:95%Cor e Forma:LiquidPeso molecular:161.3207Tris(dimethylamino)silane
CAS:Tris(dimethylamino)silanePureza:99%, 99.999%-SiPeso molecular:161.32g/molTRIS(DIMETHYLAMINO)SILANE
CAS:<p>ALD Material<br>Atomic layer deposition (ALD) is a chemically self-limiting deposition technique that is based on the sequential use of a gaseous chemical process. A thin film (as fine as -0.1 Å per cycle) results from repeating the deposition sequence as many times as needed to reach a certain thickness. The major characteristic of the films is the resulting conformality and the controlled deposition manner. Precursor selection is key in ALD processes, namely finding molecules which will have enough reactivity to produce the desired films yet are stable enough to be handled and safely delivered to the reaction chamber.<br>Tris(dimethylamino)silane; Tris(dimethylamido)silylhydride; N,N,N',N',N'',N''-Hexamethylsilanetriamine<br>AIR TRANSPORT FORBIDDENVapor pressure, 4 °C: 1 6 mmHydrosilylates olefins in presence of Rh2Cl2(CO)4Reacts with ammonia to form silicon nitride prepolymersEmployed in low pressure CVD of silicon nitride<br></p>Fórmula:C6H19N3SiPureza:97%Cor e Forma:Straw LiquidPeso molecular:161.32Tris(dimethylamino)silane, 99+%, 3DMAS (99.999%-Si) PURATREM, 14-8750, contained in 50 ml Swagelok® cylinder (96-1070) for CVD/ALD
CAS:<p>Tris(dimethylamino)silane, 99+%, 3DMAS (99.999%-Si) PURATREM, 14-8750, contained in 50 ml Swagelok® cylinder (96-1070) for CVD/ALD</p>Fórmula:(CH3)2NSiHPureza:(99.999%-Si)Cor e Forma:colorless to light yellow liq.Peso molecular:161.32




