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CAS 22398-80-7

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Fosforeto de índio

Descrição:
Fosforeto de índio (InP) é um semicondutor binário composto de índio e fósforo, conhecido por suas propriedades de banda proibida direta, tornando-o altamente eficaz para aplicações optoeletrônicas, como em diodos emissores de luz (LEDs), diodos a laser e eletrônica de alta frequência. Possui uma estrutura cristalina de blenda de zinco e exibe excelente mobilidade eletrônica, o que é vantajoso para dispositivos eletrônicos de alta velocidade. Fosforeto de índio é caracterizado por sua alta condutividade térmica e resistência à radiação, tornando-o adequado para aplicações espaciais. O material é tipicamente cultivado usando métodos como epitaxia por feixe molecular ou deposição química de vapor organometálico. O InP também é notável por sua capacidade de operar de forma eficiente no espectro infravermelho, o que é benéfico para telecomunicações e dispositivos fotônicos. No entanto, é sensível à umidade e requer manuseio e armazenamento cuidadosos para manter sua integridade. Precauções de segurança devem ser tomadas ao trabalhar com InP, pois pode ser tóxico se ingerido ou inalado, e os protocolos de laboratório adequados devem ser seguidos para mitigar os riscos de exposição.
Fórmula:InP
InChI:InChI=1/In.P
Chave InChI:InChIKey=GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
SMILES:[In]#P
Sinónimos:
  • Fosfuro De Indio
  • Indium Phosphide
  • Indium monophosphide
  • Indiumphosphid
  • Phosphure d'indium
  • Indiumphosphidemetalsbasispiecesanddownblack
  • Indiumphosphidepolycrystallinelump
  • indium,phosphorus
  • Indium(III) phosphide
  • Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM
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